Zusammenfassung
Dieses Paper beschreibt die physikalischen Grundlagen neuer kamerabasierter Messtechniken für die Silizium-Photovoltaik. Die Methodenentwicklung zielt vor allem darauf ab, Bildintensitäten auf physikalische Standardkenngrößen (Strom, Spannung, Widerstand, Leistung) zurückführen. Dies erhöht — zumindest im Rahmen der Gültigkeit der teilweise vereinfachten physikalischen Modelle — die Aussagekraft und Vergleichbarkeit von Ergebnissen. Ausgewählte Beispiele zeigen, dass die Verfahren sowohl relevant für die Produktionskontrolle in der Solarindustrie sind, als auch wichtige neue Einsichten in die Solarzellen- und Halbleiterphysik bieten.
Abstract
This paper describes the physics of new camera-based imaging methods for silicon solar cell characterization. The development aims at quantifying the images with respect to physical properties like current, voltage, resistance, and power. This improves the informative value and the comparability of results — at least in the limits of the sometimes simplified models. Selected examples show that the methods provide valuable information for industrial production control and enable new insight into fundamental effects of solar cell and semiconductor physics.
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