Kurzfassung
Es wird ein Verfahren vorgestellt, mit dessen Hilfe Defekte in siliziumbasierten Halbleiterbauelementen in allen drei Raumrichtungen für eine TEM-Untersuchung präpariert werden. Die Groblokalisierung der Defekte erfolgte zunächst durch elektrische Methoden. Durch die spezielle Lage der Defekte und den Aufbau der elektrischen Schaltungen in bestimmten Halbleiterstrukturen ist es jedoch nicht immer möglich, deren Ort hinreichend genau zu bestimmen. Die Festlegung der finalen Lage der TEM-Lamelle erfordert daher zunächst eine genauere Bestimmung der Defektposition. Das erfolgt durch eine oberflächenparallele TEM-Präparation („Plan-view“) des auffälligen Bereiches mit anschließender Untersuchung im TEM. Nach dem Auffinden der Defekte wurden diese Fehler in beiden Richtungen senkrecht zur ersten Lamelle präpariert und analysiert.
Abstract
A method is presented by means of which defects in silicon-based semiconductor components are prepared for a TEM examination in all of the three spatial directions. Defects first are roughly localized by electric methods. However, the specific location of such defects and the structure of electric circuitry in certain semiconductor configurations do not always allow a sufficiently precise determination of their locations. Therefore, ascertaining the final position of the TEM lamella requires that the position of defects can be determined even more accurately. This is done by a surface-parallel TEM preparation (a “plan view”) of the conspicuous area, which is followed by an examination in the TEM. After the defect locations were discovered those faults were prepared and analyzed in both directions perpendicular to the first lamella.
Literatur/References
1 Österreicher, I.; Nowak, C.; Eckl, S.; Tippelt, B.; Werner, W.: IPFA 2007 (Proceedings), pp. 48-52Search in Google Scholar
2 Tong, T.; Erickson, A.: ISTFA 2004 (Proceedings), pp.42-45Search in Google Scholar
3 Vallett, D.P.: IEEE Transact. 1 (2002); pp. 117-121.Search in Google Scholar
4 Gianuzzi, L.A.; Stevie, F.A.: Introduction to Focused Ion Beams; Springer Verlag; 200510.1007/b101190Search in Google Scholar
5 Frey, L.; Lehrer, C.; Ryssel, H.: Appl. Physics A76 (2003), pp. 1017-1023Search in Google Scholar
6 Bender, H.; Richard, O.; Kalio, A.; Sourty, E.: Microelectr. Eng. 84 (2007); pp. 2707-2713Search in Google Scholar
© 2009, Carl Hanser Verlag, München
