Ute Geißler, Hans-Jürgen Engelmann, Ingrid Urban, Heidemarie Rooch
May 28, 2013
Abstract
Kurzfassung Bei der Untersuchung der Verbindungsbildung von Bondkontakten sehr geringer Ausdehnung (25 μm-AlSi1-Draht auf Cu/Ni/Au-Metallisierung einer Leiterplatte) steht mit der Methode des Fokusierten Ionenstrahles (FIB) für die TEM-Zielpräparation ein sehr effektives Verfahren zur Verfügung, das die genaue Entnahme einer Lamelle aus dem interessierenden Probenbereich ermöglicht. Dabei gelingt es mit dem in-situ-lift-out-Verfahren im Vergleich zum ex-situ-lift-out-Verfahren dünnere Folien zu präparieren (ca. 40 nm), an denen im Bereich der Grenzfläche zwischen Bonddraht und dem Metallisierungschichtsystem EFTEM-Mappings und HRTEM-Untersuchungen möglich werden. Diese Untersuchungen liefern zusammen mit der Anwendung des FIB als Rasterionenmikroskop neue Erkenntnisse zum Gefüge der Bondkontakte und zum Aufbau der Grenzfläche und erweitern das Verständnis der Verbindungsbildung beim Drahtbonden.