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  • Author: H. Neumann x
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Die Abhängigkeit des Feldelektronenstroms von Belichtung und Temperatur wurde für In2S3-Kristalle mit unterschiedlichem spezifischem Widerstand untersucht. Die Strom-Spannungs-Kennlinien niederohmiger Kristalle werden durch Änderung von Belichtung und Temperatur nicht beeinflußt. Hochohmige Kristalle zeigen beträchtliche Nichtlinearitäten im Kennlinienverlauf, die sich durch Spannungsabfall am Emitter und durch Ladungsträgervervielfachung erklären lassen. Die experimentellen Daten deuten auf Emission aus einem an der Oberfläche entarteten Leitungsband hin. Die gefundenen negativen Feldemissionskennlinien können durch induzierten Stoßionisationsdurchschalag von mit Elektronen besetzten Haftstellen verursacht sein.

Bei der Untersuchung der Feldelektronenemission aus hochohmigen Halbleitern ergeben sich Abweichungen vom linearen Kennlinienverlauf, die durch das Auftreten eines Spannungsabfalls am Emitter bedingt sind. Eine Analyse dieser Abweichungen ergibt Daten über die Feldabhängigkeit der Beweglichkeit der Elektronen im Emittermaterial. Messungen an In2S3 zeigen, daß vorwiegende Streuung an polaren optischen Phononen angenommen werden kann. Bei 77°K ist die Wechselwirkung mit akustischen Nullpunktsschwingungen, bei 195°K eine mögliche Streuung an ionisierten Störstellen zu berücksichtigen.