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  • Author: Hans-Joachim Lippmann x
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Die HALL-Spannung einer rechteckigen, stromdurchflossenen Halbleiterplatte im transversalen Magnetfeld wird durch Lösung des Potentialproblems berechnet. Der sich für die HALL-Spannung ergebende Ausdruck ist das Produkt aus der Hall-Spannung der unendlich langgestreckten Platte und einer Geometriefunktion, die vom Seitenverhältnis α/b des Rechtecks und dem HALL-Winkel Θ abhängt. Für kleine und große Hall-Winkel werden analytische Ausdrücke für die Geometriefunktion abgeleitet, während das Übergangsgebiet zwischen kleinen und großen Θ-Werten durch numerische Auswertung der in der Geometriefunktion auftretenden Integrale erschlossen wird.

HALL-Konstante und Elektronenbeweglichkeit wurden an drei verschiedenen III — V-Halbleitern, die für die technische Anwendung der galvanomagnetischen Effekte von besonderem Interesse sind, bis zu Magnetfeldern von 180 kG gemessen. Die HALL-Konstante von InAs und In (Aso,8 Po,2) ist im Rahmen der Meßgenauigkeit feldunabhängig, während die HALL-Konstante von InSb bis 170 kG um 15% abfällt. HALL-Generatoren aus InAs und InAsP sind daher für die Messung höchster Magnetfelder geeignet. Da die Elektronenbeweglichkeit bei allen drei Materialien mit wachsendem Magnetfeld stark abnimmt, durchläuft der HALL-Winkel in Abhängigkeit vom Magnetfeld ein Maximum.