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Zeitschrift für Naturforschung A

A Journal of Physical Sciences

Editor-in-Chief: Holthaus, Martin

Editorial Board: Fetecau, Corina / Kiefer, Claus

12 Issues per year


IMPACT FACTOR 2016: 1.432

CiteScore 2017: 1.30

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Online
ISSN
1865-7109
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Volume 14, Issue 11

Issues

Trägerrekombination in Halbleitern nach hoher Anregung

M. Zerbst / G. Winstel / W. Heywang
Published Online: 2014-06-02 | DOI: https://doi.org/10.1515/zna-1959-1105

Das zeitliche Abklingen einer injizierten hohen Zusatzträgerdichte wird nach der SHOCKLEY-READ-schen Modellvorstellung berechnet. Unter der Voraussetzung kleiner Rekombinationszentrendichten, die bei reinen Halbleitersubstanzen im allgemeinen erfüllt ist, läßt sich ein geschlossener mathematischer Ausdruck angeben, der die für sehr hohe und sehr kleine Zusatzdichten bekannten exponentiellen Grenzgesetze enthält. Auch bei hoher Trägeranregung ist der Rekombinationsvorgang durch den Besetzungszustand der Rekombinationszentren allein bestimmt.

About the article

Received: 1959-09-29

Published Online: 2014-06-02

Published in Print: 1959-11-01


Citation Information: Zeitschrift für Naturforschung A, Volume 14, Issue 11, Pages 958–962, ISSN (Online) 1865-7109, ISSN (Print) 0932-0784, DOI: https://doi.org/10.1515/zna-1959-1105.

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© 1946 – 2014: Verlag der Zeitschrift für Naturforschung. This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 3.0 License. BY-NC-ND 3.0

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